原子力顯微鏡探針(AFM探針)，是原子力顯（xiǎn）微（wēi）鏡（AFM）設備非常重要的配件耗材之一。我司提供的布魯（lǔ）克AFM探針具有多種款式（shì）和（hé）型號，能夠滿足多種應用領域中的原子力顯微鏡（jìng）（AFM）解決方案。

      在實驗中，用戶所得到的數據通常取決於探針的（de）質量和探針的重複性（xìng）。布魯克的探針具有（yǒu）嚴格（gé）的納米加工控製（zhì）和質量測試，具備AFM領域的專業（yè）背景，不僅能夠為當前的應用提供測試結果，同時也能為將來的研究提供參考數據。

      目前，布魯克原子（zǐ）力顯微鏡（AFM）已被廣泛應用於生命科學、材料科學、半導體、電化學等領域（yù）的納米技術研發，應用廣泛，因此所配套的探針種類也在不斷增加，為了幫助客戶能夠便捷（jié）的選擇出（chū）適（shì）合測量需求的探針型號（hào），可通過以下的探針選型指（zhǐ）南來更快速的（de）找到更適合的探針類型。

原子力顯微（wēi）鏡探針(AFM探針)常用型（xíng）號一覽

*setpoint need to be around 100pN

探針選型指南

一、AFM探（tàn）針簡介

每個探針（zhēn）都由三部分組成：tip（針尖），cantilever（懸臂梁），substrate（基片）

大部分材料都是矽（guī）或者氮化矽。

一（yī）般（bān）懸臂梁的（de）形狀（zhuàng）有：矩形和三角形（xíng）、Special。

1）懸臂的主（zhǔ）要參數有：spring constant（彈性係數）、resonance frequency（共振頻率）、懸臂長（zhǎng）度（寬度厚度等）、懸臂形狀、懸臂的鍍層、懸臂材料、懸臂梁的數目等；
2）針尖tip的主要參數有：tip radius、tip geometry、tip coating、tip height等；
3）不同的探針具體有不同的用（yòng）途， 所以我們也從適合的樣品（sample）類型、適合的AFM機型（包括（kuò）非Bruker品牌的afm機型）、適合的工作模式（work mode）、適合的（de）應用（application）對探針做了分類（lèi），可以在探針左邊的（de）帥選欄裏進行相（xiàng）應的（de）篩選和查詢。

二、如何挑選AFM探（tàn）針：

1）確認待測物
      如：高分子、無機物、細胞........
2）確認AFM應（yīng）用（yòng）模（mó）式
     形（xíng）貌、電性、液下成像、力曲線............
3）確認（rèn）掃描的精度
     挑選合適探針針尖1nm、2nm、7nm、10nm........?
4）確（què）認共振頻率和彈性係數
      取決於掃（sǎo）描速度、工作模式、待測物軟硬度等信息

注：目前網站中所展示的是較為常見的探針係列及型號（hào），除此以外的一些 bruker（布魯克）探針型號，如：PFQNM-LC 、PEAKFORCE SECM 等，未在網站上進行展示，如需提供報價或者具體參數，請與我公司聯（lián）係，聯係方式可見上方“聯（lián）係我們”。

三、以下（xià）是針對大部分探針係列的簡要（yào）說明：

關於不同係列探針後麵的 A，AW，W；-HM，-HR，-LM 等標識的說（shuō）明，具體如下：

1）AD 係列探針，金剛（gāng）石（shí）鍍層（céng）導電矽基探針，一盒 5 根。根據頻率和曲率（lǜ）半徑的（de）不同，有（yǒu）不（bú）同（tóng）的型號。

2）CDP 和 CDR 係列、EBD-CD 探針（zhēn），主要用於 insight（全（quán）自動原子力顯微鏡）機型上。

3）CLFC 係列（liè）探針，tipless
• CLFC-NOBO 和 CLFC-NOMB 探針，用來（lái）做 calibration，用其（qí）自（zì）身已知的懸臂 Kref（彈性係（xì）數）值來校準未知探針懸臂的 K 值。
• 要校準的懸臂的彈性係數一般應該在 0.3Kref

4）CONTV 係列的探針
• -A 表示（shì）一盒 10 根（gēn）針（zhēn），且懸臂背麵有 Al 鍍層
• -AW 表示一個（gè） wafer，大概有 300-400 根針，且懸臂背麵有（yǒu） Al 鍍層
• -W 表示一個 wafer，但懸臂背麵無鍍層（no coating)
• 隻寫了 CONTV，表示一盒 10 根針，但懸臂背麵無鍍（dù）層（no coating)
• -PT 表示懸臂前麵（含 tip）有（yǒu） Ptlr 鍍層，導電

5）DDESP 係列和 DDLTESP-V2、DDRFESP40 探針，導電，有導電金剛石塗層 tip

6）DNISP 係列和 PDNISP、MDNISP-HS、NICT-MAP 探針，有手工製作的天然金剛石納米壓痕 tip，都可以做納米壓痕。

7）DNP 係列探針，每（měi）個型號懸臂背麵都有 Gold 鍍層
• -10 表示一盒 10 根針且曲率半徑的（de）標稱值為 20nm
• DNP 後（hòu）麵啥數字沒有，表示一盒一（yī）個 wafer，大（dà）概有 300-400 根針，且曲（qǔ）率半徑的標稱值為 20nm
• -S10 表示（shì）一盒 10 根針且曲率半徑的（de）標稱值為 10nm
• DNP-S 後麵啥數字沒有，表示一盒一個 wafer，大概有 300-400 根針，且且（qiě）曲（qǔ）率半徑（jìng）的標稱值為 10nm

8）ESP 係列的探針
• ESP 後麵帶 A，表示一盒 10 根針，且懸臂背麵有 Al 鍍層
• ESP 後麵（miàn）帶 AW 表示一個 wafer，大概有（yǒu） 300-400 根針，且懸臂背麵有 Al 鍍層
• ESP 後麵帶 W 表示一個 wafer，但懸臂背（bèi）麵無鍍（dù）層（no coating）
• 隻寫了 ESP，表示一盒 10 根針，但懸臂背麵無鍍層（no coating)

9）Fastscan 係（xì）列探針，專門用在 Dimension FASTSCAN 這個 AFM 機型上

10）FESP 係列的探針
• FESP 後麵帶 A，表示一盒 10 根針，且懸臂（bì）背（bèi）麵有 Al 鍍層
• FESP 後麵帶 AW 表示一（yī）個 wafer，大概有 300-400 根針，且懸臂背麵有 Al 鍍層
• FESP 後（hòu）麵帶 W 表示一個 wafer，但懸臂背麵無鍍層（no coating）
• 隻寫了 FESP，表示一盒 10 根針，但懸臂背麵無鍍層（no coating)

11）FIB 係（xì）列（liè）的（de）探針
• -A 是一盒 5 根，且懸臂背麵有 Al 鍍層；否則就是一盒（hé） 5 根，但懸臂背麵（miàn）無鍍層（nocoating）
• 不同（tóng） AFM 機型對應的有不同（tóng）型號的 FIB 探針，具體請（qǐng）在 AFM 探針篩選中查詢（xún）

12）FMV 係列探（tàn）針
• -A 表示一盒（hé） 10 根針（zhēn），且懸臂背麵有 Al 鍍（dù）層
• -AW 表示一個 wafer，大概（gài）有 300-400 根針，且（qiě）懸臂背麵有 Al 鍍層
• -W 表示一個 wafer，但懸臂背（bèi）麵無鍍層（no coating)
• 隻寫了 FMV，表示一盒 10 根針（zhēn），但懸臂（bì）背麵無鍍層（no coating)
• -PT 表示表示懸臂前麵（含 tip）有（yǒu） Ptlr 鍍層，導電

13）HAR 係（xì）列探針
• -A-10 表示一盒 10 根針，且懸臂背麵（miàn）有 Al 鍍層

14）HMX 係列探針
• -10 表示表示一盒 10 根針，且懸臂背麵有 Al 鍍層（céng）
• -W 表示（shì）一個 wafer，且懸臂背麵有（yǒu） Al 鍍層

15）LTESP 係列探針
• -A 表（biǎo）示（shì）一盒 10 根針，且懸（xuán）臂背麵有 Al 鍍層
• -AW 表示（shì）一個 wafer，大（dà）概有 300-400 根針，且懸臂背麵有 Al 鍍層
• -W 表示一個（gè） wafer，但懸臂背麵無鍍層（no coating)
• 隻寫了 LTESP，表示一盒（hé） 10 根（gēn）針，但懸臂背麵無鍍層（no coating)

16）MESP 係列探針，導電，懸臂前麵（含 tip）有 Magnetic CoCr 導電塗層（céng）
• -HM 表示高磁距 high moment
• -HR 表示高分辨高（gāo）磁矩（high-resolution, high moment）
• -LM 表示 low moment

17）MLCT 係列
• -bio 和-bio-DC 是為生物樣品優化的（de）探針，tip 的形狀（zhuàng）和高度跟 MLCT 不一樣，而且-bio-DC 有熱漂補償，因此對於細胞培養和（hé）溫（wēn）度變化中測量的生物樣品，可以（yǐ）考慮用這款探針。
• MLCT-FB 的鍍層比 MLCT 厚，其他方（fāng）麵和 MLCT一樣。
• -O 表示沒有 tip。
• -UC 表示沒有（yǒu）鍍層。tip radius 是 20nm

18）MSCT 係列探針
• MSCT-MT-A 隻有一個懸臂，隻能在（zài） innova 上用。
• -UC 表示沒有（yǒu）鍍層。MSCT 相比 MLCT 係列，針尖半（bàn）徑（tip radius 為 10nm）更小。

19）MSNL 係列，比 MSCT 和 MLCT 係列的針尖半徑（jìng）更（gèng）小，隻有 2nm。

20）MLCT\MSCT\MSNL 係列的探針（zhēn），有鍍層的都是 reflection gold。

21）NCHV 係列（liè），雖然參數和（hé） rtesp-300 差不多，但其是性價比高的探針，隻（zhī）能做定性的（de）分析，不能拿來做 QNM。

22）NCLV 係列探針也是性價（jià）比高的探針

23）NP 係列探針（zhēn）
• -10UC 表（biǎo）示（shì）一盒 10 根，且懸臂背麵無鍍層
• -W-UC 表示一盒一個 wafer，且懸臂背麵無鍍層
• NP 後麵跟“G”，表示懸臂前麵（miàn）和（hé）背麵都有 Gold 鍍層；NPG 表（biǎo）示一盒一個 wafer，大概 300-400 根NPG
• -10 表示一（yī）盒 10 根
• -O10 表示一盒 10 根，探針無針尖（tipless）且懸臂背麵有 Gold 鍍層
• -OW 表示一（yī）盒一個 wafer，探針無針尖（tipless）且懸臂背麵（miàn）有 Gold 鍍層
• NPV-10 表示一盒 10 根，且懸臂背麵有 Gold 鍍（dù）層

24）OBL-10 探針，是不能調角度的，懸臂的傾角是±3°，不能裝在 Dimension afm 上。

25）PEAKFORCE-HIRS 係列探針，tip radius 隻有（yǒu） 1nm, 而且頻率都是 100KHz 以上，可（kě）以做（zuò）高分辨成像。

26）PFDT係列（liè），專門用在有peakforce deep trench工作模（mó）式的Dimension icon機型上測Holes/Trenches

27）PFQNE-AL 探針，導電，是（shì）專（zhuān）門為 peakforce KPFM 模式優化的探針。由於部分（fèn）參數需要（yào）保密（mì），目前可展示的參數不全

28）PT 係列是做 STM 模式用的探針

29）RESP 係列探針
• RESP 後麵跟“A”，表示懸臂背麵有 Al 鍍層，且一盒有 10 根
• RESP 後麵跟“AW”，表示懸臂背麵有 Al 鍍層，且一盒有一個（gè） wafer，大概 300-400根
• RESP 後麵跟“ ”，表示懸臂背麵無鍍層，且一盒有 10 根
• -10 表示共振頻率是 10KHz
• -20 表示共振頻率（lǜ）是 20KHz
• -40 表示工作（zuò）頻率是 40KHz

30）RFESP 係列探針
• RFESP 後麵跟“A”，表示懸臂背麵有 Al 鍍層（céng），且一盒有 10 根
• RFESP 後麵跟“AW”，表示懸臂背麵有 Al 鍍層，且一盒有一個 wafer，大概 300-400根
• RFESP 後麵跟“ ”，表示懸臂背麵無鍍（dù）層（céng），且一盒有 10 根（gēn）
• -190 表示共振（zhèn）頻率（lǜ）是 190KHz
• -75 表示共振頻率是 75KHz
• -40 表示（shì）工（gōng）作（zuò）頻率是 40KHz

31）RMN 係（xì）列探針，導電
• 固體金屬（Solid Metal）探針，有（yǒu）優良（liáng）的導電性（xìng），並且不會出現金屬塗層矽（guī）探針所產生的薄膜粘附問題。
• 根（gēn）據（jù）不同的應用對應有不同的型（xíng）號可（kě）以（yǐ）選擇

32）RTESP 係列探針
• RTESP 後麵跟“A”，表示懸臂背麵有（yǒu） Al 鍍層，且一盒有 10 根
• RTESP 後麵跟“AW”，表（biǎo）示懸臂（bì）背麵有 Al 鍍層，且 一（yī）盒有一（yī）個 wafer，大概 300-400 根
• RTESP 後麵跟“ ”，表示懸臂背麵無（wú）鍍（dù）層，且一盒有 10 根
• -150 表示（shì）共振頻率是 150KHz，-150-30 屬（shǔ）於預校準探針，表示（shì）共（gòng）振頻率是 150KHz，且（qiě）曲率半徑是 30nm
• -300 表示共振頻率是 300KHz；-300-30 屬於預校準探針，表（biǎo）示共振頻率是 300KHz，且曲（qǔ）率半徑是 30nm
• -525 表示工作頻（pín）率是 525KHz；-525-30 屬於預校準探針，表示共振頻率是 525KHz，且曲率半徑是 30nm

33）SAA-HPI 係列 探針，
• -30 表（biǎo）示是預校準探（tàn）針，曲率半徑為 30nm
• -SS 表示超（chāo）尖探針，曲（qǔ）率半徑的標稱值為 1nm
預校準的探針有：
• SAA-HPI-30： 0.25N/m, k certified, controlled end radius, 一（yī）盒5根
• RTESPA-150-30： 5N/m, k certified, controlled end radius, 一盒5根
• RTESPA-300-30： 40N/m, k certified, controlled end radius, 一盒（hé）5根
• RTESPA-525-30： 200N/m, k certified, controlled end radius,一盒（hé）5根

34）SCANASYST 係列探針（zhēn），
專門為（wéi） SCANASYST（智能模式）優化的探針

35）SCM 係列探針，導電，懸臂前（qián）麵（miàn）（含 tip）有 Conductive PtIr 或（huò）Conductive PtSi 鍍層

36）SMIM 係（xì）列探針，導電（diàn）

37）SNL 係（xì）列探針，
• -10 表示一盒 10 根；
• -W 表（biǎo）示一盒一個 wafer，大概 300-400 根

38）SSRM-DIA 探針，導電（diàn）

39）TESP 係列探針
• TESP 後（hòu）麵跟後麵跟“A”，表示（shì）懸（xuán）臂背麵有 Al 鍍層（céng），且一（yī）盒有（yǒu） 10 根
• TESP 後麵跟“AW”，表示懸臂背麵（miàn）有 Al 鍍層，且一盒（hé）有一個 wafer，大概 300-400根
• TESP 後麵跟“D”，表示 DLC 塗層矽（guī）探針，其表麵硬化類的金剛（gāng）石(DLC)塗層，目的是為了增加 tip 壽命，且（qiě）一盒（hé） 10 根
• TESP 後麵跟“DW”，表示 DLC 塗層矽探針，其表麵硬化類金剛石(DLC，Diamond-LikeCarbon)塗層（céng），目的是為了增加 tip 壽命，且一盒一個 wafer
• TESP 後麵跟“ ”，表示懸臂背麵（miàn）無鍍層，且一盒有 10 根
• -HAR 表示具有高（gāo）縱橫比（bǐ）(HAR)探針，是具有高/深（shēn）幾何形狀的樣品在進行 tapping 模式成像下的（de）理想選擇（zé）。
• -V2 表示（shì）高質量、新設（shè）計的（de）探針
• -SS 表示超尖針尖，針尖曲率半徑標稱值為 2nm，且一盒 10 根
• -SSW 表示超尖針尖，針尖曲率半（bàn）徑標稱值（zhí）為 2nm，且一盒一個 wafer

40）VITA 係列探針，做熱（rè）分析或者做掃描（miáo）熱分析的探針，具體可以通過探針（zhēn）網站搜索對應 的型號和參數、適合的 AFM 機型（xíng）等信息。

41）VTESP 係列探針
是 visible apex 形狀的探針，tip 在懸臂前端，可以（yǐ）用來定位（wèi）。 OLTESPA-R3，OSCM-PT -R3（導（dǎo）電探針）和 OTESPA-R3，VTESP 係列探（tàn）針是 visible apex 形狀的探針，tip 在懸臂前端，可以用來定位。
• VTESP 後麵跟“A”，表示懸臂背麵有 Al 鍍層
• -300 表示共振頻率為 300KHz
• -70 表示共振頻率為 70KHz
• -300（或-70）後麵有“-W”，表示一盒（hé）一（yī）個 wafer
• -300（或-70）後麵有“ ”，表示（shì）一盒 10 根